MU · 2026-09-30
新聞稿 有簡報 待補逐字稿 有
財報數字
33.42
EPS 實際
31.72
EPS 預估
54.23B
營收 實際
51.33B
營收 預估
給半導體/AI供應鏈投資人的一句話
美光財報與展望再度確認AI驅動的記憶體/HBM供需緊張將延續至2028年,對記憶體、先進封裝、伺服器CPU供應鏈皆是結構性利多,但資本支出大增與長產能週期也意味獲利高點的可持續性需持續觀察。
財測 / Guidance
優於共識 ▲美光預計FY2027第一季(至2026年12月)營收615億美元(±15億美元),Non-GAAP毛利率約86.25%,營業費用約20.6億美元,Non-GAAP每股盈餘38.15美元(±1美元)。管理層表示供需緊張狀況可望延續至2028年,記憶體(尤其HBM)定價已針對2027日曆年大幅調升,資本支出同步上修以因應長期需求。→ 展望優於市場共識(營收指引中值615億美元 vs 共識約600.8億美元,高約2.4%;Non-GAAP EPS指引中值38.15美元 vs 共識37.09美元,高約2.8%)
重點摘要
- Q4 FY26營收542.29億美元,創歷史新高,年增逾3.8倍(去年同期113.15億美元),季增31%。
- Non-GAAP每股盈餘33.42美元創紀錄;營業現金流439.7億美元。
- 雲端記憶體(Cloud Memory)與核心資料中心(Core Data Center)兩大事業群營收分別達162.83億美元與180.02億美元,營業利益率76%與85%,雙雙年增數倍。
- 公司已簽訂26份策略客戶協議(SCA),涵蓋DRAM與NAND,預計到2030年貢獻約35%營收。
- FY27資本支出因應產能擴建(特別是潔淨室)持續上修,管理層表示27、28年供需仍將維持緊張。
法說會 Q&A 亮點
- 「總裁暨營運長 Manish Bhatia：公司目前已有超過75%的FY2027出貨量被策略客戶協議(SCA)承諾,使我們得以將與客戶的產能分配討論延伸到2028年。」
- 「財務長 Mark Murphy：FY2027首季展望已反映較溫和、但持續的產品漲價,帶動毛利率較首季進一步擴張;市場條件預期將維持緊張直到2028年。」
- 「總裁暨營運長 Manish Bhatia：我們已針對HBM4E將2027日曆年的定價大幅調升,以縮小HBM與傳統DRAM之間的獲利能力差距。」
- 「總裁暨營運長 Manish Bhatia：本季新簽10份客戶SCA(總計達26份),約3/4的SCA營收訂有明確的價格上下限框架,其餘約1/4則隨市場狀況定期議價。」
- 「技術長 Scott DeBoer：我們與NVIDIA已就HBM4E(代號NV HBM)協同設計超過一年,採委外晶圓代工生產客製與JEDEC規格產品,預期將是業界首款主要客製化HBM產品。」
- 「財務長 Mark Murphy：FY2027建廠資本支出的增加,大部分用於2028年之後才會投產的潔淨室,這類支出短期內不會轉化為位元產出,但反映我們對長期需求的信心。」
- 「總裁暨營運長 Manish Bhatia：我們預期DRAM位元供給成長在明年將放緩,主因HBM占比持續提高且其trade ratio攀升,加上潔淨室空間仍是全產業最主要的供給瓶頸,Idaho新廠預計2027年年中才開始首批晶圓產出。」
- 「技術長 Scott DeBoer：目前我們的製程技術領先中國大陸競爭對手至少兩個世代,1-gamma DRAM已是公司出貨主力並將成為史上最大節點,下一代1-delta將於明年下半年量產爬坡。」
- 「總裁暨營運長 Manish Bhatia：行動與消費性事業群本季位元出貨連續第二季下滑,但受惠於漲價與產品組合優化,營收仍維持成長;我們在該事業群同樣簽有SCA以確保供應多元化。」
產業趨勢讀點
- HBM/記憶體:總裁暨營運長Manish Bhatia表示HBM出貨成長速度將快於傳統DRAM,且HBM4E於2027年起trade ratio進一步提高,將持續壓縮整體DRAM位元供給,對其他記憶體/HBM供應鏈(SK海力士、三星)及先進封裝(TSV)需求為正面訊號。
- 晶圓代工/先進封裝:技術長Scott DeBoer提到與NVIDIA共同設計HBM4E(NV HBM),採用委託晶圓代工(foundry process)生產客製與JEDEC規格產品,對晶圓代工及先進封裝委外產能需求為正面訊號。
- 伺服器/CPU供應鏈:Manish Bhatia指出server unit成長達「high teens」百分比,主因agentic AI帶動CPU相關記憶體與SSD attach率提升,顯示CPU伺服器平台(非僅加速器)需求同步走強,對伺服器ODM與CPU供應鏈為正面訊號。
- 資料中心電力與建廠:公司FY27建廠(潔淨室)資本支出大幅增加,主要用於2028年後投產的潔淨室,反映全產業擴產週期拉長,對半導體設備/廠務工程及資料中心電力基礎建設供應鏈為正面訊號。
- NAND供應鏈:Manish Bhatia預期NAND產業2027、2028年位元需求將以「mid-20%」成長,但美光因將部分潔淨室挪用於HBM試產而供給成長低於產業平均,顯示NAND價格/供需吃緊狀況將延續,對其他NAND廠(如SK海力士、鎧俠)為正面訊號。
風險
- 資本支出(建廠/潔淨室)大幅增加,但新產能最快要到2028年末甚至更晚才能貢獻出貨量,執行時程與良率爬升仍有不確定性。
- 行動與消費性(Mobile & Client)事業群位元出貨已連續兩季下滑,靠漲價與產品組合支撐營收。
- HBM與傳統DRAM的trade ratio持續攀升,可能壓抑整體位元成長,若客戶需求不如預期,產能利用率與價格可能承壓。
- 中國大陸競爭對手持續追趕,儘管目前製程仍落後約兩個世代。
- 對少數大型雲端/AI客戶及SCA框架依賴度高,定價多為浮動或區間制,未來價格走勢存在不確定性。
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新聞稿原文 (SEC) 逐字稿來源：fmp
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